特許リスト：素材・材料

技術分類	キーワード	管理番号	出願番号等	発明の名称	発明の簡単な説明
素材/材料	太陽電池	NU-0496	特願2012-287434	半導体ナノ粒子、半導体ナノ粒子担持電極及び半導体ナノ粒子の製法	太陽電池の光電変換効率向上のための材料探索が盛んである現在において、化合物半導体であるCuInSe2（CIS）などのカルコパイライト系半導体がシリコン太陽電池に変わる次世代太陽電池として注目されている。カルコパイライトナノ粒子は希少元素であるInを含むために将来の安定供給に不安があり、代替材料が求められている。平均粒径が従来に比較してIHI乗に小さい半導体なの粒子を提供する技術である。
素材/材料	金属内包フラーレン回収	NU-0461	特願2012-047496	金属内包フラーレンの回収方法	粗フラーレン類を溶媒に溶解させた飯能駅に、ハロゲン化チタン又はハロゲン化スズからなるルイス酸を加えることで、金属内包フラーレンとルイス酸の複合体を精製させる。次にその複合体を濾過して洗浄することにより極めて高回収率で金属内包フラーレンを回収する技術。
素材/材料	LD LED 半導体分散ブラッグ反射機	NU-0458	特願2012-41845	分散ブラッグ反射器およびその製造方法	LD、LEDにに用いられる分散ブラッグ反射に関する。空気より高い屈折率を持つ物質層と空気層を交互に積層された分散ブラッグ反射機において空気より高い屈折率を持つ物質層は基盤とほぼ平行な上端面とその上端面に連なる側面から構成。この構成により製造プロセス回数が少なくできる。
素材/材料	GaN ゲートリーク電流低減	NU-0457	特願2012-041372	電解効果トランジスタ	アンドープのGaNのチャネル層の上にアンドープのAlGaN障壁層を、その上にアンドープのGaNの中間層、その上にMgがドープされたp-InGaNの電界発生層を形成。この上にNi/Au/Niゲート電極を形成。この構造により、ゲートリーク電流を飛躍的に低減できる。
電子材料	半導体 SGOI SOI ULSI(次世代超々大規模集積回路) SGTOI	NU-0430	特願2011-115089	多層膜構造体及びその形成方法	半導体素子用の多層膜構造体、その形成方法。従来よりSGOIやGOIはSOI（基板）上へのヘテロエピキャシタル成長に1000℃前後の高温熱処理によって作製されている。本技術は熱処理温度を400℃程度に低減でき、次世代高移動度チャネルの基盤材料となるSGTOI構造を低コストで実現できる。
電子材料	SiC グラフェンチャネルパワーデバイス	NU-0424	PCT/JP2009/004200	グラフェン／SiC複合材料の製造方法及びそれにより得られるグラフェン／SiC複合材料	本発明によれば、熱分解法によりSiC基板上に欠陥の少ない大面積グラフェンを作成することができる。加熱温度及び加熱時間を制御することにより、SiC表面上に形成するグラフェン層数を制御することができると伴に、バンドギャップを有するグラフェンを作製することもできる。これをチャネル材料として利用すれば、極めて高いキャリア移動度を有するトランジスタを実現することができる。
電子材料	有機光電変換素子有機絶縁分極層有機電荷分離層	NU-0421	PCT/JP2011/054555	有機光電変換素子および撮像素子	一対の電極間に有機層を備えた有機光電変換素子。安価に製造可能で、暗電流の発生が極力押えられ、光を受けて大きくかつ高速の応答性をもつ過渡電流を発生させることが可能。有機層は電荷分離層と絶縁分極層に寄与するもので、構造的にも非常にシンプルな光電変換素子である。
触媒医薬	ソーラーセンサ二次電池電極触媒ナノサイズ白金等構造体	NU-0386	特願2010-234883	粒子材料及びその製造方法	安価で入手容易なDNAを鋳型に使用して白金等の金属のナノサイズのワイヤを得て、次に前記ワイヤを蹴鞠状のシェル構造体を持つ制御された三次元形状にすることを特徴とする。用途は触媒や二次電池等の電極等幅広い用途。サンプルを供給することが可能である。
電解質	リチウムイオン電池難燃性固体電解質	NU-0383	特願2010-194793	イオン伝導性材料及びその利用	イオン伝導性に優れるイオン液体と無機材料とをハイブリッド化した固体のイオン伝導性材料。無機材料は電解質の難燃化に寄与する。高いイオン伝導性を保持しながらLiイオン電池で問題視されている発火などの危険性に対して安全性を確保できる固体イオン伝導性材料である。
電子材料高機能性材料	カーボンナノリングシクロヘキサンベンゼン環	NU-0382	特願2010-196175	カーボンナノリングの製造方法、並びにその製造方法により得られるカーボンナノリング及びシクロパラフェニレンから得られるカーボンナノリング	ニッケル系の触媒を用いて、シクロヘキサン環とベンゼン環を連結させ12個のフェニレン基が連なる[12]シクロパラフェニレンを得る技術。従来公表されている製法に比べて、大幅な収率アップが可能となった。本技術で得られるカーボンナノリングは、電子材料、高機能性材料などでの用途が期待される。
電子材料高機能性材料	カーボンナノリングシクロヘキサンベンゼン環	NU-0381	特願2010-196174	芳香族化合物及びその製造方法並びにカーボンナノリング及びその製造法	シクロヘキサン環とベンゼン環を組み合わせることによる、画期的な環状のカーボンナノリングの製造方法。得られるカーボンナノリングはベンゼン環を１４個、１５個、１６個等自在な数を連結させる事が可能。製造方法も非常に簡便であり、電子材料、高機能性材料などでの用途が期待される。
リチウムイオン電池	電解質リチウムイオン電池	NU-0375	PCT/JP2010/004806	含ホウ素化合物、電解質材料、及びリチウムイオン電池	リチウムイオン電池の新規な有機伝導体の固形電解質であり、新規な含ホウ素化合物を利用した電解質材料、及びその電解質を利用したリチウムイオン電池である。イオン伝導性において従来の固形電解質よりも高く、液体電解質に近い特性を持つ。【NU-0288のPCT出願】
燃料電池電極光触媒水素吸蔵装置ガスセンサー等の材料	カーボンナノチューブ超臨界白金担持燃料電池電極光触媒水素吸蔵装置ガスセンサー	NU-0370	特願2010-177455	ナノ粒子を担持したナノ構造体及びその製造方法	白金などの金属ナノ粒子（1～10nm）を高密度（1011～1013cm-2）に内包または側面に担持した有機ナノ構造体（柱径1～10nm、縦横アスペクト比10以上）。超臨界流体化学気相堆積法などによる有機薄膜材料表面への金属ナノ微粒子担持と、反応性イオンエッチングによる有機薄膜材料の極微細加工プロセスによる作製手法。Si基板上に基板温度により粒径を制御できる。燃料電池用触媒電極、光触媒、水素吸蔵、ガスセンサー等への利用が期待される。
フッ素ガス等危険物吸着離脱電池電極電子デバイス	フッ素ガス吸着離脱電池電極	NU-0367	特願2010-169079	カーボンナノホーン集合体、およびその製造方法	フッ素等の有毒ガスを効率よく吸着離脱することができるカーボンナノホーン。1気圧下でヘリウム、窒素、アルゴン、乾燥空気のうち1種類のガス流量を制御し、レーザを用いて様々な形状のカーボンナノホーン集合体を粒径も制御して作製できる。
リチウムイオン電池	イオン液体イオンゲル	NU-0351	特願2010-108421	イオン液体保持材料及びその製造方法、並びにイオン導電性材料	リチウムイオン電池向けの難燃性イオンゲル電解質に関する技術。イオン液体中においてグルコース系多糖類とボラン類との反応で得られるホウ素化されたイオンゲル電解質である。熱安定性、難燃性に優れた物性を持つ材料として期待される。
その他材料磁気砂利	磁気砂利	NU-0347	特願2010－50494	磁気砂利による水の磁化及び生物の活性化の方法及び装置	着磁した磁性砂利を平面または立体的に配置することにより構成される、生物活性化装置の提供である。コイル、発振器、電源等が不要であるため、費用対効果に優れフィールドでの実用性が高い、水及び生物の活性化装置が製作できることが特長である。
光センサ光度センサフォトトランジスタ	有機光電変換素子有機絶縁分極層有機電荷分離層	NU-0345	特願2010-057342	有機光電変換素子および撮像素子	一対の電極間に有機層を備えた有機光電変換素子。安価に製造可能で、暗電流の発生が極力押えられ、光を受けて大きくかつ高速の応答性をもつ過渡電流を発生させることが可能。有機層は電荷分離層と絶縁分極層に寄与するもので、構造的にも非常にシンプルな光電変換素子である。
DLC付樹脂基材	DLC コーティングプラズマCVD 樹脂	NU-0341	特願2010-083685	ダイヤモンドライクカーボン膜付基材の製造方法	プラズマCVD法により樹脂基材へ可視光域で透明なダイヤモンドライクカーボン (DLC)膜をコーティングする方法に関する。カーボン源として安価なメタン (CH4)を用い安価に樹脂基材上にDLCコーティングを施したDLC付基材の作成が可能となる。
セラムックコンデンサ電極材料	高結晶金属微粉体粒子状金属凝集	NU-0332	特願2010-072988	粒子状金属材料の熱処理方法	粒子状金属材料の組成を維持し、凝集を抑制でき、高結晶化できる熱処理方法。大型の装置や設備を必要としない。Ni，Cu等の金属微粉体を高結晶でサイズの一様性を保って調製できるため、セラミックコンデンサの小型高性能化のための電極用材料等に使用できる。
電子材料高機能性材料	カーボンナノリングシクロヘキサンベンゼン環	NU-0329	特願2010-051045	カーボンナノリングの製造方法、並びにその製造方法により得られるカーボンナノリング及びシクロパラフェニレンから得られるカーボンナノリング	ニッケル系の触媒を用いて、シクロヘキサン環とベンゼン環を連結させ１２個のフェニレン基が連なる［１２］シクロパラフェニレンを得る技術。従来公表されている製法に比べて、大幅な収率アップが可能となった。本技術で得られるカーボンナノリングは、電子材料、高機能性材料などでの用途が期待される。
電子材料高機能性材料	カーボンナノリングシクロヘキサンベンゼン環	NU-0327	特願2010-029490	芳香族化合物及びその製造方法並びにカーボンナノリング及びその製造法	シクロヘキサン環とベンゼン環を組み合わせることによる、画期的な環状のカーボンナノリングの製造方法。得られるカーボンナノリングはベンゼン環を１４個、１５個、１６個等自在な数を連結させる事が可能。製造方法も非常に簡便であり、電子材料、高機能性材料などでの用途が期待される。
医療用機能性粒子	薬剤送達システム(DDS) デュアルイメージングマルチモーダルイメージングプローブ	NU-0316	特願2010-29118	セルロース系材料粒子及びその製造方法	可塑性を有する特異な形状のセルロース系材料からなる粒子を得る方法。ミクロンサイズからサブミクロンサイズの粒子を得ることが可能。新規機能性粒子としてMRIや蛍光イメージングなどのほか、DDSへの応用が可能。
半導体デバイス	カーボンナノチューブチャネル	NU-0302	特願2009-249307	半導体デバイスおよび製造方法	カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）をチャネル材料として電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、特にＣＭＯＳを作製するには、ＣＮＴをｐ型及びｎ型に制御（ｐ／ｎ制御）する必要がある。本発明では安定したｐ／ｎ制御が可能となり、安定した電気的特性を有するＣＮＴＣＭＯＳの実現が可能となる。
ジョセフソン素子超伝導フィルター	超伝導薄体膜ジョセフソン素子	NU-0292	特願2009-227635	超伝導体構造、その製造方法、及び電子素子	本発明では、基板としてGaAsやGaP等を用い、格子定数を一致させるバッファ層を形成し、その上にMBE等の半導体結晶成長法を利用し、FeAs系超伝導体薄膜を形成する。従来から用いられているNb系超伝導体よりも高温での動作が可能であると伴に、性能を充分引き出す上で不可欠な高品質薄膜結晶を得ることが可能である。
精密抵抗器	精密抵抗標準抵抗器低抵抗温度係数	NU-0291	特願2009-215899	電流制御素子又は電圧制御素子を構成することを用途とする材料、電流制御素子、及び電圧制御素子	マンガニン等の合金材料を材料として従来にない極めて小さな温度係数と磁気抵抗を有する素子である。精密で信頼性の高い標準抵抗や超精密抵抗を安価に製造できる技術。
リチウムイオン電池	電解質リチウムイオン電池	NU-0288	特願2009-194588	含ホウ素化合物、電解質材料、及びリチウムイオン電池	リチウムイオン電池の新規な有機伝導体の固形電解質であり、新規な含ホウ素化合物を利用した電解質材料、及びその電解質を利用したリチウムイオン電池である。イオン伝導性において従来の固形電解質よりも高く、液体電解質に近い特性を持つ。
電子材料	フラーレン	NU-0287	特願2009- 202034	フラーレン誘導体及びその製造方法	フラーレンに４つのアリル基を狙った位置に導入した、キラリティを持つ新規なフラーレン誘導体。反応性に富むアリル基を導入することにより、炭素繊維強化樹脂の改質、燃料電池の分離膜、化粧品、医薬品、電子部品などに広範囲な応用が期待出来る。
パワーデバイス	パワーエレクトロニクス半導体材料	NU-0271	特願2009-075974	3C-SiC単結晶の製造方法	炭化珪素(SiC)はSiに比し、禁制帯幅（バンドギャップ）が大きく絶縁破壊電圧が高いことから、特にパワーエレクトロニクスの半導体材料として期待されている。本発明では、SiC結晶構造の中でもMOSFETなどに有利とされる3C-SiCの欠陥 (積層欠陥等)の少ないSiC単結晶製造方法に関するものである。高い結晶品質を得る可能性の高い液層成長法を用いた新しい製造方法である。
電子	カーボンナノチューブＦＥＴ	NU-0204	特願2008-076673	カーボンナノチューブを用いた電界効果トランジスタ及びその製造方法	カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）をチャネルとして用いる電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）及びその製造方法に関する発明である。ＣＮＴをチャネルとして用いるＦＥＴを高性能化するには、成長制御を図り安定的なＣＮＴチャネルを作製する必要があるが、本技術では鉄薄膜を触媒として用いることによりこれを実現している。低コストでのＣＮＴ薄膜トランジスタ（ＣＮＴ－ＴＦＴ）製造が可能となる。
センサ材料	感圧センサ	NU-0191	特願2007-319207	感圧シート	シート部接触面などの任意曲面形状に沿った圧力検出が可能な感圧用クロスステッチ材を提供する。本発明は特殊構造の感圧用センサをマトリクス状に配置することにより、任意の３次元曲面形状に実装できるのが特長である。
電子材料	熱電変換	NU-0178	特願2007-216804	複合酸化物からなる熱電変換材料	本材料は針状単結晶であり、有害元素を含まないｐ型熱電変換材料。従来より研究開発されているＣａＣｏ系酸化物に比して、導電率が高く、出力因子（σＳ2）は300-1100°Ｋの広い温度域で1～0.6[10-3W/mK2]と安定した高い値を示す。
環境	環境浄化材	NU-0158	特願2007-032703	環境浄化材、環境浄化装置及び環境浄化方法	従来から知られているＴｉＯ２等は可視光領域の光では有効に光触媒機能として有効に作用しないのに対し、本技術は可視光領域の光によっても有効に光触媒作用を発揮させると共に、光触媒反応に貢献する光の利用効率を高めるとともにその反応速度を増大さることが可能な環境浄化材。
電子材料	カーボンナノチューブ	NU-0154	特願2005-193923 特開2007-7814	SiC/カーボンナノチューブ複合材料およびその利用	SiC基材上に基材表面から立ち上がるCNT形成領域を有するSiC/CNT複合材料は、CNT領域に負荷される機械的エネルギー量の変化により摩擦係数を異ならせることが可能である。MEMS用の各種アクチュエータや半導体装置位置決めモータなどの摩擦抵抗調節材として適用可能である。
センサ材料	感圧センサ	NU-0134	特願2006-332735	感圧用クロスステッチ材	シート部接触面などの任意曲面形状に沿った圧力検出が可能な感圧用クロスステッチ材を提供する。本発明は特殊構造の感圧用センサをマトリクス状に配置することにより、任意の３次元曲面形状に実装できるのが特長である。
		NU-0121	特願2006-224646	有機ホウ素π電子系化合物、発光性材料及び電荷輸送材料	有機EL等に用いることが可能な有機発光性材料。従来の発光材料は強い分子間相互作用による消光効果により固体状態での量子収率が低い。本開発技術はπ電子系骨格及びπ共役様式を変化させた化合物により、固体状態での高量子収率を達成できる。【NU-0084の優先権出願】
		NU-0120	特願2006-237746	リン架橋スチルベンゼン及びその製法	有機EL等に用いることが可能な有機発光性材料。本開発材料は従来の炭素架橋に比して、(a)固体状態での高発光効率、(b)発光極大波長が長波長シフト、吸収波長と発光波長の差が大きい、の効果の内少なくとも１つを示す特徴を有する。
		NU-0115	特願2005-199338 特開2007-15890	カーボンナノチューブ形成用基板及びその製造方法並びにカーボンナノチューブ	Si電子デバイスにカーボンナノチューブを用いる場合の技術。Si基板上にカーボンナノチューブを形成する際に、電子物性に影響するカーボンナノチューブの直径、カイラリティを制御する基板構造。
		NU-0095	特願2006-077255 特開2007-258237	有機積層構造材料の構造安定化方法とその利用	機能性有機デバイスに利用される有機材料は、多結晶化が特性劣化の一つの要因となるが、本技術は、相溶性の高い有機材料を組み合わせることにより、多結晶化を抑制し膜の安定化を実現する。
		NU-0091	特願2006-076561 特開2007-258200	熱電変換材料及びそれを用いた熱電変換膜	廃熱エネルギーの有効利用を目的とし、幅広い動作温度領域で安定に使用可能であり、かつTeなどの有毒元素を含有せず環境負荷の少ない新規な熱電変換材料。
		NU-0079	特願2006-050820 特開2007-229546	酸化触媒、排ガス処理方法及び排ガス処理装置	Pd、Pt等貴金属を用いない同等性能の低コストな酸化触媒。特に、ハロゲン等有機ガスを酸化する場合や、酸性ガスの共存下で有機ガスを酸化する場合に、触媒劣化を生じず触媒活性を維持することに特徴がある。
		NU-0083	特願2006-052614 特開2007-23190	有機発光性材料	有機EL等に用いることが可能な有機発光性材料。π共役化合物を固体状態にすると、一般に励起会合体（エキシマー）を形成した長波長側にシフトした蛍光スペクトルとなり量子収率が劣る。が、本開発材料はエキシマー発光を利用して固体状態において高い量子収率で発光する。
		NU-0084	特願2006-052613	有機ホウ素π電子系化合物、発光性材料及び電荷輸送材料	有機EL等に用いることが可能な有機発光性材料。従来の発光材料は強い分子間相互作用による消光効果により固体状態での量子収率が低い。本開発技術はπ電子系骨格及びπ共役様式を変化させた化合物により、固体状態での高量子収率を達成できる。
		NU-0073	特願2006-36460 特開2007-220335	リチウムイオン二次電池	マンガン酸リチウムを正極に用いるリチウムイオン二次電池において、高温（50℃以上）状態で貯蔵後の容量保持率及び高温時の充放電サイクル後の容量保持率の低下を抑制可能な電解液を用いる電池を提供する。
		NU-0069	特願2005-362944	有機ホウ素π電子系化合物及びその合成中間体	有機EL等に用いることが可能な有機発光性材料。従来の発光材料は強い分子間相互作用による消光効果により固体状態での量子効率が低い。本開発技術は固体状態での高量子効率を達成できる化合物を提供する。
		NU-0047	特願2005-080679 特開2006-255677	酸化触媒及びその製造方法	Pd、Pt等貴金属を用いない同等性能の低コストな酸化触媒。これにより2輪用排ガス浄化装置や工場等の有機ガス浄化装置などに適用可能となる。
		NU-0045	特願2005-87977 特開2006-265437	酸化亜鉛系発光材料及びその製造方法	光ﾌｧｲﾊﾞｰ伝送用の1.5μmの波長を発光するZnOに希土類元素（主にEr）を添加した材料が注目されている。これに特定元素を特定量添加することにより、数十倍の発光強度を得ることが可能となる。
		NU-0043	特願2005-67757 特開2006-248984	9-置換フルオレン誘導体およびその製造方法	従来より用いられているフルオレン基本骨格材料より電子受容能が高い、有機EL、FET等に適用可能な有機電子輸送あるいは発光材料。
		NU-0042	特願2005-67756 特開2006-248983	縮環ポリチオフェン-S、S-ジオキシド及びその製造方法	有機EL、FET等に適用可能な高い電子受容能と高平面性のπ共役骨格を有するn型有機電荷輸送材料。さらに本材料を効率良く製造できる方法も開発した。
		NU-0041	特願2005-67755 特開2006-248982	ヘテロアセン化合物及びその製造方法	有機EL、FET等に適用可能な新規な有機電子輸送材料。本材料は有機溶媒に可溶で、カラムクロマト等による精製高純度化や印刷等による成膜化が可能である。
		NU-0038	特願2005-56482 特開2006-245133	半導体素子用基材及びその製造方法	次世代の不揮発メモリなどに期待されるSiナノ結晶ドットメモリデバイスの基材構造と、そのドット状Siナノクラスタを工程が簡便でかつ工程上の劣化を無くした製造方法。
		NU-0020	特願2004-279400 特開2006-089682	酸化亜鉛系発光材及びその製造方法	光ﾌｧｲﾊﾞｰ伝送用の1.5μmの波長を発光するZnOに希土類元素（主にEr）を添加した材料が注目されている。これに５B族元素（主にN）を添加することで数十倍の発光強度を得る製造法を開発した。
		NU-0003	特願2004-150233 特開2005-332991	カーボンナノチューブ発光素子	低電圧でも発光するようにし、電極からカーボンナノチューブへの注入効率を向上させ、発光効率を高めた発光素子。
		NU-0002	特願2004-141177 特開2005-322836	カーボンナノチューブFET	カーボンナノチューブへの不純物ドーピング無しに、低電圧駆動・高電力効率で移動度の高いn型カーボンナノチューブFETを容易に実現できる構造と製法。
医用器材	コート剤	STLO-P-H20-08	特願2008-235423	親水性多孔質粒状基材及びその製造方法、該親水性多孔質粒状基材を有する親水性コート剤	リン酸アンモニウム塩構造を持つ親水性コート剤。高い親水性を保持しつつ、優れた可視光の透過性を持つ。医療現場で用いられる内視鏡や腹腔鏡のレンズへの応用が期待される。
		A-167 (NU-0028) (G-76)	PCT/2005/23931 WO2006/070817	有機ホウ素π電子系化合物及びその合成中間体	有機EL、FET等に適用可能な電子注入効率が高くかつ注入された電子移動度の高い新規な有機電子輸送材料。
		A-114A	特願2003-324238 特開2005-7379	ポリマ膜の表面処理による機能性材料薄膜の低温作製	(企業とオプション契約締結済）
		A-115 (G-48)	PCT/JP2004/7390 WO 2004/106261	高周波用磁器組成物およびその製造方法	フォルステライト磁器において、高い誘電率（εｒ）、高い品質係数（Q・ｆ）を維持しつつ、0（ppm/℃）に近い温度係数（τｆ）のマイクロ波誘電体セラミックスを容易に製造することできる。
		A-68A (G-24)	PCT/JP03/03834 WO 03/083183	色素増感型太陽電池	A-68の改良技術で、酸化亜鉛と色素を電析して、次に色素を脱着した時に脱着率の高い多孔質の構造にする。色素を脱着した酸化亜鉛の表面に色素を再吸着することで、格段に高い光電変換効率を得る。コストが安く、効率に優れた太陽電池。
		A-61	特願2002-017463 特開2003-215022	固液分散系スラリーの特性評価方法	ｽﾗﾘｰをろ過する際の挙動は、Ruth理論が知られるが、実際は複雑な挙動が知られる。ろ過の初期にこの理論では理解できない挙動を見出し、新規に構築した理論と実験からｽﾗﾘｰの特性評価方法を開発した。
		A-50	特願2001-299219 特開2003-107241	多層反射膜	GaNとAlGaN等物性定数の違いにより割れを生じやすい材料を用いてファブリーベロー型多層反射膜を形成する場合において、材料の割れを防いで高反射率の多層反射膜を作成する方法。超高輝度発光ダイオードや面発光レーザに適用可能。
		A-49	特願2001-292052 特開2003-101069	Ⅲ族窒化物量子ドットの製造方法	GaNの量子ドットを1cm2当たり10の12乗個以上の分布密度で作成する方法。超高輝度発光ダイオードや面発光レーザの作成が可能。
		A-44	特願2001-257317 特開2003-69168	プリント回路基板	ソルダーレジストの開口部におけるクラックの発生を防止する方法。配線パターンの角度を調整することのみにより行えるので、クラック対策が安価に行える。
		A-42 (G-13)	PCT/JP02/08394 WO 03/019681	熱電変換材料	ホイスラー型の結晶構造を持つ、熱間圧延可能なFe2MAl系熱電変換材料。半導体であるBi2Te3系に比べ、室温以下での電気抵抗が小さいため出力係数が大きい。また成分は安価な材料であり、有害元素を含まない。
		A-38	特願2001-230826 特開2003-45852	Ⅲ族窒化物半導体のドライエッチング方法	Ⅲ族窒化物半導体、特にGaNのドライエッチングにおけるエッチピットの発生を防止し、平滑なエッチング面を得る方法。
		A-35	特願2001-127025 特開2002-322519	アルミドロスの処理方法及びその装置	超臨界水を利用してアルミドロス残灰を処理してアルミニウムの再生を効率的に行うための処理方法および装置。
		A-11	特願2000-367608 特開2002-168750	固液分散系スラリーの特性評価方法	固液分散系スラリーを容器内に注入し、容器内底部のスラリーの液圧を測定することにより、スラリー中の粒子特性を評価する方法及びその装置である。
		A-02	特願2000-250122 特開2002-064096	半導体装置及びその製造方法	MOSトランジスタのゲート薄膜化によるリーク電流を減らすことができる、高い比誘電率をもった窒化膜の製造方法。